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數字電子技術基礎試題及答案
從小學、初中、高中到大學乃至工作，我們都不可避免地會接觸到試題，試題是參考者回顧所學知識和技能的重要參考資料。那么一般好的試題都具備什么特點呢？下面是小編整理的數字電子技術基礎試題及答案，希望能夠幫助到大家。
數字電子技術基礎試題及答案 1
一、單項選擇題(每小題1分，共10分)
1、以下描述一個邏輯函數的方法中，( )只能唯一表示。
A.表達式 B.邏輯圖 C.真值表 D.波形圖
2、在不影響邏輯功能的情況下，CMOS與非門的多余輸入端可( )。
A.接高電平 B.接低電平 C.懸空 D.通過電阻接地
3、一個八位二進制減法計數器，初始狀態為00000000，問經過268個輸入脈沖后，此計數器的狀態為( )。
A.11001111 B.11110100 C.11110010 D.11110011
4、若要將一異或非門當作反相器(非門)使用，則輸入端A、B端的連接方式是( )。
A.A或B中有一個接“1” B.A或B中有一個接“0”
C.A和B并聯使用 D.不能實現
5、在時序電路的狀態轉換表中，若狀態數N=3，則狀態變量數最少為( )。
A.16 B.4 C.8 D.2
6、下列幾種TTL電路中，輸出端可實現線與功能的門電路是( )。
A.或非門 B.與非門 C.異或門 D.OC門
7、下列幾種A/D轉換器中，轉換速度最快的是( )。
A.并行A/D轉換器 B.計數型A/D轉換器
C.逐次漸進型A/D轉換器 D.雙積分A/D轉換器
8、存儲容量為8K×8位的ROM存儲器，其地址線為( )條。
A.8 B.12 C.13 D.14
9、4個觸發器構成的8421BCD碼計數器，共有( )個無效狀態。
A.6 B.8 C.10 D.12
10、以下哪一條不是消除競爭冒險的措施( )。
A.接入濾波電路 B.利用觸發器
C.加入選通脈沖 D.修改邏輯設計
二、填空題(每空1分，共20分)
1、時序邏輯電路一般由（ ）和( )兩分組成。
2、多諧振蕩器是一種波形產生電路，它沒有穩態，只有兩個
3、數字電路中的三極管一般工作于________區和________區。
4、四個邏輯變量的最小項最多有________個，任意兩個最小項之積為________。
5、555定時器是一種用途很廣泛的電路，除了能組成________觸發器、________觸發
器和________三個基本單元電路以外，還可以接成各種實用電路。
6、用2048×12的ROM芯片，最多能實現________個輸入________個輸出的組合邏輯
函數。
7、對于JK觸發器，若J=K，則可完成________觸發器的邏輯功能;若K=J=1，則完成
________觸發器的.邏輯功能。
8、時序邏輯電路的輸出不僅和_________有關，而且還與________有關。
9、三態門的輸出狀態有________、低電平、________三種狀態。
10、采用ISP技術的PLD是先裝配，后________。
11、轉換速度|和______________是衡量A/D轉換器和D/A轉換器性能優劣的主要指標。
三、分析設計題(共30分)
1、試列寫下列 ROM結構中Y2、Y1、Y0的函數表達式，并采用八選一數據選擇器 74LS152對Y2、Y1、Y0重新實現。要求寫出實現表達式，并畫出邏輯電路圖。其中，ROM地址譯碼器中，輸入地址選中的列線為高電平。(10分)
2、試用 JK觸發器和門電路設計一個十三進制的計數器，要求體現邏輯抽象、狀態化簡、狀態方程、特性方程、驅動方程和輸出方程等中間過程，畫出邏輯電路圖，并檢查所設計的電路能否自啟動。(20分)
參考答案
一、單項選擇題。
1-5 CABBD
6-10 DACAB
二、填空題。
1、存儲電路，組合電路
2、暫穩態
3、截止，飽和
4、16，0
5、施密特，單穩態，多諧振蕩器
6、11，12
7、T，T′
8、該時刻輸入變量的取值，電路原來的狀態
9、高電平，高阻態
10、編程
11、轉換精度
三、分析設計題
1、略
2、略
數字電子技術基礎試題及答案 2
一、判斷題
1、電壓，也稱作電勢差或電位差，是衡量單位電荷在靜電場中由于電勢不同所產生的能量差的物理量。(√)
2、在導體上施加電壓就會有電流流過。(√)
3、導體對電流的阻礙作用就叫該導體的電阻。(√)
4、電動勢是表示非靜電力把單位正電荷從負極經電源內部移到正極所做的功。(√)
5、電器設備在單位時間內消耗的電能稱為電功率。(√)
6、在同一電路中，導體中的電流跟導體兩端的電壓成正比，跟導體的電阻阻值成反比,這就是歐姆定律。(√)
7、電磁場可由變速運動的帶電粒子引起，也可由強弱變化的電流引起。(√)
8、電磁感應是因磁通量變化產生感應電動勢的現象。(√)
9、電路的基本組成部分是電源和負載。(×)
10、電路中能提供電能的稱為電源元件。(√)
11、通過一根導線將電阻連接在一起的方法稱為串聯連接。(√)
12、將2個以上電阻用平行連接的方法稱為并聯連接。(√)
13、電氣回路中流過的電流超過一定數值時，保護裝置起作用，保護回路安全。(√)
14、通斷裝置就是在電氣回路中設置的接通和斷開電源的裝置。(√)
15、半導體是構成電子控制零部件的基礎單元。(√)
16、半導體如果受外部刺激，其性質不會發生變化。(×)
17、半導體分為P型、N型和H型。(×)
18、二極管是P型半導體和N型半導體接合而成的。(√)
19、二極管具有單向導通性能。(√)
20、一般整流用二極管。(√)
21、齊納二極管是一種特殊的二極管。(√)
22、晶體管是在PN接合半導體上，再接合一塊P型或N型半導體。(√)
23、晶體管的工作原理同二極管相同。(×)
24、晶體管的作用就是開關作用。(×)
25、增幅作用是晶體管的運用之一。(√)
二、單選題
1、電壓的符號為(C)。
(A)R (B)I (C)U (D)P
2、電壓的單位是(A)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)歐姆
3、電流的符號為(B)。
(A)R (B)I (C)U (D)P
4、電流的單位是(C)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)歐姆
5、電阻的符號為(A)。
(A)R (B)I (C)U (D)P
6、電阻的單位是(D)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)歐姆
7、電動勢的符號為(A)。
(A)E (B)I (C)U (D)P
8、電動勢的單位是(A)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)歐姆
9、電功率的符號為(D)。
(A)R (B)I (C)U (D)P
10、電功率的單位是(B)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)歐姆
11、關于歐姆定律，選出合適的描述(B)。
(A)電流與電阻成正比 (B)電流與電壓成正比
(C)電流與電壓成反比 (D)電流與電阻、電壓無關
12、向1歐姆的電阻施加1伏特的電壓時產生的電流大小就是(D)安培。
(A)0 (B)0.5 (C)1.5 (D)1
13、引起電磁場的原因是(A)。
(A)由變速運動的帶電粒子引起 (B)由不變的電壓引起
(C)由不變的電流引起 (D)由較大的電阻引起的
14、引起電磁場的原因是(C)。
(A)由不變的電流引起的 (B)由不變的電壓引起的
(C)由強弱變化的`電流引起的 (D)由較大的電阻引起的
15、感應電流產生的條件是(B)。
(A)無切割磁感線的運動(B)電路是閉合且通的 (C)電路時打開的 (D)磁通量不變化
16、感應電流產生的條件是(C)。
(A)無切割磁感線的運動 (B)電路時打開的
(C)穿過閉合電路的磁通量發生變化 (D)磁通量不變化
17、電路的基本組成部分是電源、負載和(A)。
(A)連接導線 (B)電動勢 (C)負極 (D)正極
18、電路的基本組成部分是連接導線、負載和(A)。
(A)正極 (B)電動勢 (C)負極 (D)電源
19、電路中能提供電能的稱為(D)。
(A)耗能元件 (B)儲能元件 (C)無源元件 (D)電源元件
20、電路中不能提供電能的稱為(D)。
(A)耗能元件 (B)儲能元件 (C)電源元件 (D)無源元件
21、串聯連接回路中，流過各電阻的電流(C)。
(A)同各電阻的阻值成正比 (B)同各電阻的阻值成反比 (C)相同 (D)逐漸減小
22、串聯連接回路中，加在各電阻的電壓(A)。
(A)同各電阻的阻值成正比 (B)同各電阻的阻值成反比 (C)相同 (D)逐漸增大
23、并聯連接回路中，加在各電阻上的電壓(C)。
(A)同各電阻的阻值成正比 (B)同各電阻的阻值成反比 (C)相同(D)以上選項都不是
24、并聯連接回路中，總的電流等于各電阻的(A)。
(A)電流之和 (B)電流之積 (C)電流平均值 (D)電流均方根值
25、常見的保護裝置是指(C)。
(A)繼電器 (B)開關 (C)熔斷器 (D)電磁閥
26、熔斷器的容量大約是負荷電流(B)倍。
(A)1 (B)1.5 (C)5 (D)10
27、常見的通斷裝置是指開關和(D)。
(A)電磁閥 (B)傳感器 (C)熔斷器 (D)繼電器
28、繼電器是利用作用在線圈上的(C)開閉其觸點，以便接通和斷開電源。
(A)磁力線 (B)磁場 (C)電磁力 (D)永久磁場
29、半導體的導電性能(C)。
(A)比導體好 (B)比絕緣體差 (C)介于導體和絕緣體之間 (D)接近金屬導體
30、常見的半導體有硅和(D)。
(A)碳 (B)銅 (C)鉛 (D)鍺
31、如果溫度升高，半導體的自由電子數將(A)。
(A)增加 (B)不變 (C)減少 (D)一會增加，一會減少
32、如果溫度升高，半導體的電阻值將(A)。
(A)增加 (B)不變 (C)減少 (D)一會增加，一會減少
33、P型半導體是在有4個價電子的硅或鍺中加入了有(B)個價電子的銦元素。
(A)1 (B)3 (C)5 (D)7
34、N型半導體是在有4個價電子的硅或鍺中加入了有(C)個價電子的砷元素。
(A)1 (B)3 (C)5 (D)7
35、P型半導體帶有很多(A)。
(A)帶正電量的空穴 (B)帶負電量的空穴
(C)帶正電量的自由電子 (D)帶負電量的自由電子
36、N型半導體帶有很多(D)。
(A)帶正電量的空穴 (B)帶負電量的空穴
(C)帶正電量的自由電子 (D)帶負電量的自由電子
37、在二極管的P型側接電源的正極，在N型側接電源的負極，其接合部的電場屏蔽將(D)。
(A)增強 (B)不變 (C)減弱 (D)消失
38、在二極管的P型側接電源的正極，在N型側接電源的負極，自由電子將越過接合面向(A)移動。
(A)正極 (B)負極 (C)一半向正極，一半向負極 (D)百分之二十向負極
39、半波整流使用(A)個二極管。
(A)1 (B)2 (C)3 (D)4
40、全波整流使用(D)個二極管。
(A)1 (B)2 (C)3 (D)4
41、在齊納二極管上施加逆方向電壓，當電壓超過某一數值時，(D)。
(A)會急劇產生電流 (B)會急劇產生電阻
(C)會急劇產生電流導致二極管擊穿損壞 (D)會急劇產生電流而不會出現擊穿損壞
42、齊納二極管的齊納電壓與二極管的擊穿電壓相比，齊納電壓(C)。
(A)高 (B)低 (C)相同 (D)不確定
43、晶體管有(B)型。
(A)NNP (B)NPN (C)PNN (D)PPN
44、晶體管有(C)型。
(A)NNP (B)NPP (C)PNP (D)PPN
45、對NPN型晶體管，如果在集電極和發射極施加電壓，其中集電極為正電壓，那么發射極內的自由電子(A)。
(A)朝基極側移動 (B)朝集電極側移動 (C)不動 (D)在發射極處無序運動
46、對NPN型晶體管，如果在集電極和發射極施加電壓，其中集電極為正電壓，那么基極內的空穴(A)。
(A)朝集電極側移動 (B)朝發射極側移動 (C)不動 (D)在基極處無序運動
47、在汽車中與電子控制相關的回路的開閉一般由(D)來進行。
(A)開關 (B)繼電器 (C)二極管 (D)晶體管
48、晶體管不存在類似繼電器(B)磨損、燒損等情況。
(A)線圈 (B)觸點 (C)電磁力 (D)磁力線
49、在開關回路中，主要運用了晶體管的(D)優點。
(A)不存在類似繼電器觸點磨損、燒損等情況 (B)可以實現高速開閉
(C)不會發生間歇電震 (D)可實現小電流控制大電流。
50、晶體管的運用有開關回路、定時回路、電壓限制和(D)。
(A)發動機轉速傳感 (B)空氣流量傳感 (C)溫度傳感 (D)電子點火
三、多選題
1、下面有關電壓講述正確的是(ABCE)。
(A)電壓是靜電場或電路中兩點間電動勢之差 (B)電壓的單位是伏特
(C)電壓可分為高電壓與低電壓 (D)電壓的大小取決于電動勢 (E)電壓的符號是U
2、下面有關電壓和電流講述正確的是(ABCD)。
(A)在導體上施加電壓就會有電流流過 (B)電流的單位是安培
(C)電壓可分為交流電和直流電 (D)電流的符號是I (E)電流是自行產生的
3、下面有關電阻講述正確的是(ABDE)。
(A)導體對電流的阻礙作用就叫該導體的電阻。 (B)電阻的單位是歐姆
(C)電阻可分為交流電阻和直流電阻 (D)電阻的符號是R
(E)導體的長度、材料相同時，橫截面積越大，電阻越小
4、下面有關電動勢講述正確的是(ADE)。
(A)電動勢是表示非靜電力把單位正電荷從負極經電源內部移到正極所做的功
(B)電動勢是表示靜電力把單位正電荷從電場中的某一點移到另一點所做的功
(C)電動勢單位是瓦特 (D)電動勢的符號是E (E)電動勢的單位是伏特
5、下面有關電功率講述正確的是(ABC)。
(A)電功率是電氣設備在單位時間內消耗的電能 (B)電功率的單位是瓦特
(C)電功率的符號為P (D)電功率的大小與時間無關 (E)電功率的大小和電壓無關
6、關于歐姆定律，選出合適的描述(BE)。
(A)電流與電阻成正比 (B)電流與電壓成正比 (C)電流與電壓成反比
(D)電流與電阻、電壓無關 (E)電流與電阻成反比
7、引起電磁場的原因是(CD)。
(A)由不變的電流引起 (B)由不變的電壓引起 (C)由強弱變化的電流引起
(D)由變速運動的帶電粒子引起 (E)由不變的電阻引起
8、感應電流產生的條件有(ABC)。
(A)電路是閉合且通的 (B)穿過閉合電路的磁通量發生變化
(C)電路的一部分在磁場中做切割磁感線運動
(D)磁通量不需變化 (E)電路可以是打開的
9、電路的基本組成部分是(ABC)。
(A)電源 (B)負載 (C)連接導線 (D)正極 (E)負極
10、電路中無源元件的分類為(B)。
(A)有源元件 (B)儲能元件 (C)耗能元件 (D)理想元件 (E)非理想元件
11、串聯連接回路描述正確的是(AB)。
(A)流過各電阻的電流相同 (B)加在各電阻的電壓同各電阻的阻值成正比
(C)流過各電阻的電流不同 (D)加在各電阻的電壓同電阻成反比
(E)電阻和電流，電壓無關
12、并聯連接回路描述正確的是(AB)。
(A)加在各電阻上的電壓相同 (B)總的電流等于各電阻的電流之和
(C)流過各電阻的電流相同 (D)加在各電阻的電壓同電阻成反比
(E)電阻和電流，電壓無關
13、漏電保護裝置按檢測信號分，可分為(AB)。
(A)電壓動作型 (B)電流動作型 (C)電阻動作型 (D)電動勢動作型(E)電感動作型
14、關于繼電器的說法正確的是(ABC)。
(A)能夠縮短流過大電流回路的電線，并能將開關設置遠離需要接通和斷開的回路的地方。(B)能夠實現各裝置操作的自動化或遠距離操作。
(C)能夠使用觸點容量小的開關。 (D)能夠替代熔斷器。 (E)能代替保險絲
15、半導體材料有很多種，按化學成分可分(AD)。
(A)元素半導體 (B)非元素半導體 (C)單一半導體
(D)化合物半導體 (E)混合物半導體
16、半導體的特性是(ABCDE)。
(A)電阻率特性 (B)導電特性 (C)光電特性(D)負的電阻率溫度特性 (E)整流特性
17、半導體的分類，按照其制造技術可以分為(ABCDE)等。
(A)集成電路器件 (B)分立器件 (C)光電半導體 (D)邏輯IC (E)模擬IC
18、二極管的內部結構，可分為(AB)。
(A)點接觸型 (B)面接觸型 (C)線接觸型 (D)無接觸型 (E)全接觸型
19、半導體的特性是(ABCDE)。
(A)電阻率特性 (B)導電特性 (C)光電特性(D)負的電阻率溫度特性 (E)整流特性
20、關于二極管的應用，正確的是(ABC)。
(A)異常脈沖的吸收 (B)逆電動勢的吸收 (C)防止逆流 (D)穩壓 (E)放大功能
21、齊納二極管的作用是(ABD)。
(A)穩壓 (B)調壓 (C)減壓 (D)吸收逆電動勢 (E)放大功能
22、屬于晶體管的電極是(BCD)。
(A)觸發極 (B)發射極 (C)基極 (D)集電極 (E)放大極
23、NPN型硅管的輸出特性曲線是一組以Ib為參變量的曲線族。曲線族可分為(BCD)。
(A)減少區 (B)截止區 (C)放大區 (D)飽和區 (E)安全區
24、晶體管的優點是(ABC)。
(A)不存在類似繼電器觸點磨損、燒損等情況 (B)可以實現高速開閉
(C)不會發生間歇電震 (D)可實現大電流控制小電流 (E)可實現電流互換
25、晶體管的運用有(ABCE)。
(A)開關回路 (B)電壓限制 (C)電子點火 (D)啟動回路 (E)定時回路
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